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内存要降价?三星量产第二代10nm级DRAM芯片

2017-12-23 18:24| 发布者: dealabc_admin| 查看: 479| 评论: 0

摘要: 内存要降价?三星量产第二代10nm级DRAM芯片靠着DRAM内存、NAND闪存芯片的大涨价，三星公司今年顺利地超越英特尔成为全球第二大半导体公司，英特尔保持了多年的半导体一哥地位被三星轻松车翻。由于存储芯片涨价还看不 ...

内存要降价?三星量产第二代10nm级DRAM芯片

靠着DRAM内存、NAND闪存芯片的大涨价，三星公司今年顺利地超越英特尔成为全球第二大半导体公司，英特尔保持了多年的半导体一哥地位被三星轻松车翻。由于存储芯片涨价还看不到尽头，按照这个趋势走下去三星恐怕还会继续拉大与英特尔的距离。

外媒报道称，三星电子表示，已经开始量产业界首款、采用第二代10nm工艺（1y-nm）级别的DRAM芯片。第二代10纳米级芯片比第一代芯片快10%，功耗降低15%。

三星在公开声明中称，“第二代10纳米级8Gb DRAM芯片的功耗和数据处理性能均改善，将用于云计算中心、移动设备和高速显卡等高端数据处理电子产品。另外将在2018年把多数现有DRAM生产转为10纳米级芯片。该公司在电脑芯片、电视和智能手机行业全球领先。

三星电子记忆芯片部门(MemoryBusiness)总裁Gyoyoung Jin称，这一“积极的”生产扩张，将“适应市场的旺盛需求。”

三星进一步指出，透过开发DRAM 的电路设计和制程技术创新，三星已经突破了 DRAM 扩展性的主要障碍。

透过第二代 1y 纳米制程生产的 DRAM 快速成长，三星将更加积极地扩展整体的 1y 纳米制程程的 DRAM 产品产能，以因应强劲的市场需求，并继续加强三星的业务竞争力。

据了解，三星的第二代 1y 纳米制程所生产的 8Gb DDR4，比第一代 1y 纳米制程的 8Gb DDR4 DRAM 在生产效率上提高了近 30%。此外，由于采用了先进的专有电路设计技术，新的 8Gb DDR4 的性能水准和功耗分别提高了约 10% 和 15%。

另外，新的 8Gb DDR4每个引脚可以以每秒 3,600 Mbps 的速度运行，比第一代1y 纳米制程的 8Gb DDR4 DRAM 的 3,200Mbps 速度，提升了超过 10%。

三星进一步表示，为了达成这些成绩，三星应用了新技术，包括了使用高灵敏度的细胞数据传感系统和渐进的 “空气间隔” 方案，但是并没有使用EUV 技术。而在第二代 1y 纳米制程所生产的 8GbDDR4 的每个单元中，新设计的数据感测系统可以更准确地确定每个单元中储存的数据，进而显著提高电路整合度和制造效率。

当然，如果与2014年量产的20nm工艺4Gb DDR3内存相比，现在的8Gb DDR4内存不论性能还是容量都翻倍了。

三星表示目前正在加速第二代10nm级内存芯片的量产，考虑到其生产效率提升了30%，同样的工厂下理论上能提产出30%的内存，这对产能提升还是非常有利的，一旦供应增加，内存价格也指日可待了，不过从现实角度来说新工艺的量产爬坡是个长期的过程。

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